350块H100取代4万CPU！台积电应用英伟达平台，加速规划掀翻半导体制造变革
开首：华尔街见闻
英伟达的平台cuLitho大幅晋升了规划光刻这一芯片制造基石设施的速率。通过该平台，英伟达和台积电将光掩模的弧线过程速率和传统曼哈顿式过程速率分裂晋升了45倍和近 60 倍。在 cuLitho 加速过程速率的基础上，英伟达诱骗的生成式 AI 应用算法又将速率晋升了两倍。
好意思东时辰10月8日周二在华盛顿举行的“英伟达AI峰会”时间，英伟达强调了同台积电在加速规划范围配合的得益：英伟达名为cuLitho 的规划光刻平台正在台积电插足出产，加速规划进一步大幅晋升了规划光刻这一芯片制造基石设施的速率，并降顽劣耗。
英伟达称，cuLitho 将加速规划引入规划光刻范围。将 cuLitho 插足出产使台积电纰漏加速下一代芯顷然刻的诱骗，而目下的出产过程正接近物理学的极限。台积电应用cuLitho进行出产不错提高制造下一代先进半导体芯片的速率，并冲破物理适度。
规划光刻是电脑芯片制造的重要设施。ASML对它的界说是，诈骗规划机建模、仿真和数据分析等妙技，酌量、校阅、优化和考据光刻工艺在一系列图案、工艺和系统条件下的成像性能。它触及电磁物理、光化学、规划几何、迭代优化和散播式规划这些复杂的规划，是系数这个词半导体设想和制造过程上钩算最密集的职责负载。晶圆代工场频繁会挑升为这些规划建设大型数据中心。而目下先进芯片的尺寸越来越小，降至3nm及以下，需要规划光刻愈加精确，规划光刻所需的时辰也越来越多。莫得更苍劲的规划光刻很难齐备复杂的掩模版设想。规划光刻历来是将新时刻节点和电脑架构推向市集的瓶颈。
客岁的英伟达诱骗者大会GTC上，英伟达发布了基于GPU构建的cuLitho规划光刻时刻软件库，被称为篡改规划光刻范围游戏法规的软件。cuLitho的中枢是英伟达科学家发明的一组并行算法，规划光刻工艺的系数部分皆不错并行开动。正本需要4万个CPU系统才调完成的职责，目下仅需用500个英伟达DGX H100系统即可完成。使用cuLitho的晶圆厂每天的光掩模产量可增多3-5倍，而耗电量不错比现时树立诬捏9倍。
本周二英伟达重申了本年GTC大会上潜入的得益，每年，先进的代工场要为规划光刻阔绰数百亿小时CPU规划时辰，一个芯片掩模组频繁可能需要 3000 万小时或更多的 CPU 规划时辰，因此代工场必须有大型数据中心。而通过加速规划，350 套英伟达H100 Tensor Core GPU 的系统目下就不错取代 4万套CPU 系统，加速了出产速率，同期诬捏了资本、空间要乞降功耗。
台积电CEO魏哲家在本年的英伟达GTC大会上示意，通过与英伟达一同将 GPU 加速规划整合到台积电的职责流中，台积电大幅晋升了性能、增多了迷糊量、诬捏了周期时辰，并减少了功耗。
英伟达本年的GTC大会潜入，自客岁推出以来，cuLitho 为台积电的立异图案化时刻带来了新的机遇。在分享职责流上进行的 cuLitho 测试融会，英伟达和台积电共同将弧线过程速率和传统曼哈顿式过程速率分裂晋升了 45 倍和近 60 倍。这两种过程的不同点在于弧线过程的光掩模神色为弧线，曼哈顿式过程的光掩模神色被适度为水平或垂直。
本周二英伟达还提到其诱骗的生成式 AI 应用算法。事实讲明，这种算法晋升了cuLitho 平台的价值。在 cuLitho 加速过程速率的基础上，新的生成式 AI 职责流将速率又晋升了两倍。应用生成式 AI 不错创建近乎齐备的反向光掩模或反向处分有缱绻，处分规划光刻中光的衍射问题，然后再通过传统的严格物理设施推导出最终的光掩模，从而将系数这个词光学相近效应校阅 （OPC） 过程加速两倍。
OPC在半导体光刻中的应用已有三十年历史。英伟达称，三十年来，很少有像加速规划和AI这两种时刻这么，为OPC带来如斯马上的转机。这些时刻让物理模拟更精确，而且齐备了一经资源密集型的数学时刻。
目下晶圆厂工艺的好多变化皆需要对 OPC 进行修改，这增多了规划量，并给晶圆厂的诱骗周期带来瓶颈。规划光刻时刻的速率大幅晋升加速了晶圆厂创建每个掩膜的速率，从而诬捏了诱骗新时刻节点的总周期。更稠密的是，它让往常无法齐备的新规划成为可能。
英伟达例如称，二十年前科学文件就提议了逆向光刻时刻，但由于规划时辰过长，因此在很猛进度上无法在全芯片限度上齐备准确规划。有了 cuLitho，情况就不再如斯。杰出的代工场将用它来晋升逆向和弧线处分有缱绻，这将有助于创造下一代苍劲的半导体。
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包袱裁剪：李桐
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